RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
13.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
71
Около -87% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.7
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
38
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
13.3
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2277
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link