RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
71
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.7
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
35
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
14.4
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2426
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link