RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
71
Около -163% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.5
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
27
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
17.7
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3198
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
AMD R5S34G1601U1S 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston KHX16 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link