RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
71
Wokół strony -163% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3198
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Unifosa Corporation HU564403EP0200 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link