RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
71
Около -145% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.6
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
29
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
18.5
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3488
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link