RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
19.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
71
Около -163% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.4
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
27
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
19.2
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3399
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link