RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
19.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
71
Autour de -163% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
27
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
19.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
3399
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kingston 99P5471-043.A00LF 8GB
Kingston 99P5471-033.A00LF 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link