RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
19.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
71
Около -145% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.8
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
29
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
19.4
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3614
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link