RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
71
Около -294% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.8
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
18
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
20.3
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3507
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link