RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
71
Wokół strony -294% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
18
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3507
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link