RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
71
Около -73% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.6
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
41
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
15.8
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3073
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston HP698650-154-MCN 4GB
Kingston 9905402-174.A00G 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link