RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
71
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.8
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.9
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
35
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
9.8
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2126
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link