RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
71
Около -154% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.4
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
28
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
13.8
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2354
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link