RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
71
Около -184% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.7
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
25
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
15.3
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2704
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingston 9905474-012.A00LF 2GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link