RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
71
Около -209% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.7
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
23
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
13.6
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2339
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link