RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
71
Около -223% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.9
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
22
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
18.6
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3361
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link