RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
71
Около -137% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.4
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
30
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
16.3
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2953
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link