Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Kingston K6VDX7-MIE 8GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Средняя оценка

Kingston K6VDX7-MIE 8GB

Kingston K6VDX7-MIE 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 14.3

Среднее значение в тестах

Kingston K6VDX7-MIE 8GB

Причины выбрать
Kingston K6VDX7-MIE 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

36 71

Около -97% меньшая задержка
Выше скорость записи

8.1 1,322.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 5300

Около 4.83 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Kingston K6VDX7-MIE 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

71 36
Скорость чтения, Гб/сек

2,831.6 14.3
Скорость записи, Гб/сек

1,322.6 8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 25600

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

399 2332

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Kingston 9905625-139.A00G 16GB

Kingston 9905625-139.A00G 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Kingston 9905744-076.A00G 16GB

Kingston 9905744-076.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB

Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB

Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB

Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB

InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston 9965589-013.A00G 8GB

Kingston 9965589-013.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB

SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB

модули RAM