RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
71
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость чтения
8.8
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
39
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
8.8
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2083
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link