RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Средняя оценка
star star star star star
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    71 left arrow 72
    Около 1% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    2 left arrow 15.3
    Среднее значение в тестах
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость записи
    8.0 left arrow 1,322.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 5300
    Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    71 left arrow 72
  • Скорость чтения, Гб/сек
    2,831.6 left arrow 15.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,322.6 left arrow 8.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    399 left arrow 1593

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Сравнения RAM

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
модули RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
модули RAM
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
модули RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
модули RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
модули RAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
модули RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
модули RAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
модули RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
модули RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
модули RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
модули RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
модули RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
модули RAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
модули RAM