RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
71
72
Wokół strony 1% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
72
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
1593
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link