RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB против Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
47
Около -96% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.9
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
24
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
14.9
Скорость записи, Гб/сек
8.4
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2055
2196
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB Сравнения RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link