RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.7
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
5.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
35
Около -40% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
12.3
Скорость записи, Гб/сек
9.6
5.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
1966
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link