RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
35
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
16.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
3047
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link