RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
35
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
18.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
3498
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link