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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
総合得点
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
35
周辺 -52% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.2
13.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.1
9.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
35
23
読み出し速度、GB/s
13.7
18.2
書き込み速度、GB/秒
9.6
15.1
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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