RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
35
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
15.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2382
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link