Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Kingston 9905624-008.A00G 8GB

-->

Средняя оценка

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Средняя оценка

Kingston 9905624-008.A00G 8GB

Kingston 9905624-008.A00G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Сообщить об ошибке

Kingston 9905624-008.A00G 8GB

Причины выбрать
Kingston 9905624-008.A00G 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 35

Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.2 13.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.1 9.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Kingston 9905624-008.A00G 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

35 27
Скорость чтения, Гб/сек

13.7 14.2
Скорость записи, Гб/сек

9.6 10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2312 2416

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB

Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB

SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston 9965669-018.A00G 16GB

Kingston 9965669-018.A00G 16GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB

Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB

G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB

Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB

модули RAM