RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
41
Около 15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.7
7.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
41
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
7.7
Скорость записи, Гб/сек
9.6
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
1855
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link