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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
41
Por volta de 15% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.7
7.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
7.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
41
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
7.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
7.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2312
1855
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparações de RAM
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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