RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
36
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.8
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
36
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
13.8
Скорость записи, Гб/сек
9.6
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
2550
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB Сравнения RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link