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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Comparar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Pontuação geral
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
36
Por volta de 3% menor latência
Razões a considerar
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
9.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
36
Velocidade de leitura, GB/s
13.7
13.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
11.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2312
2550
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB Comparações de RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
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