RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB против Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
35
Около -40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.2
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.1
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
20.2
Скорость записи, Гб/сек
9.6
18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2312
4046
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link