RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.7
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.2
9.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
39
Около -30% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
30
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
14.5
Скорость записи, Гб/сек
9.2
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2322
2374
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Сравнения RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link