RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
39
Около -34% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
29
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
15.8
Скорость записи, Гб/сек
9.2
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2322
2865
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB Сравнения RAM
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link