RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.2
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
41
Около -17% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
35
Скорость чтения, Гб/сек
14.0
10.2
Скорость записи, Гб/сек
9.2
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2356
2124
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564568FH8N0QHSCG 2GB
Mushkin 994093 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link