RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Сравнить
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB против Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.3
11
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
41
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.4
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
11.0
Скорость записи, Гб/сек
8.3
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2176
2271
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link