RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Сравнить
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
-->
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
41
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.2
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
38
Скорость чтения, Гб/сек
14.0
15.2
Скорость записи, Гб/сек
9.2
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2356
2821
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564568FH8N0QHSCG 2GB
Mushkin 994093 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link