RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Сравнить
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB против Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
39
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.0
1,597.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
33
Скорость чтения, Гб/сек
5,022.9
16.2
Скорость записи, Гб/сек
1,597.0
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
753
3116
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Сравнения RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link