RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
61
Около 56% меньшая задержка
Причины выбрать
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.9
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
61
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
17.2
Скорость записи, Гб/сек
8.4
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2089
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link