RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
34
Около 21% меньшая задержка
Причины выбрать
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.1
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
18.1
Скорость записи, Гб/сек
8.4
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3505
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link