RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
27
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.3
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
18.3
Скорость записи, Гб/сек
8.4
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3152
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2400C11D3/2GX 2GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link