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PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
23
读取速度,GB/s
13.8
18.3
写入速度,GB/s
8.4
13.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3152
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9965596-036.B00G 8GB
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Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
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