RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
27
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
17.0
Скорость записи, Гб/сек
8.4
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2938
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link