RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
32
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.4
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3279
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link