RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB

PNY Electronics PNY 2GB против Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB

Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

PNY Electronics PNY 2GB Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB Причины выбрать
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    16.1 left arrow 13.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.4 left arrow 8.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 10600
    Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    27 left arrow 27
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.8 left arrow 16.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.4 left arrow 9.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2274 left arrow 2607

PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM

Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB Сравнения RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
модули RAM
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
модули RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
модули RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
модули RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
модули RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
модули RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
модули RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
INTENSO M418039 8GB
INTENSO M418039 8GB
модули RAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
модули RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
модули RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
модули RAM