RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
17.8
Скорость записи, Гб/сек
8.4
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3597
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link