RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3170
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Jinyu 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link