RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.3
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.8
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
18.3
Скорость записи, Гб/сек
8.4
17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
4065
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link