RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
27
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.8
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
19
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
18.8
Скорость записи, Гб/сек
8.4
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2991
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link